Південнокорейський технологічний гігант SK hynix планує збільшити виробництво кремнієвих пластин DRAM майже вдвічі — з поточних 550 тисяч до 1 мільйона одиниць на місяць до 2030–2031 років. Основними центрами розширення стануть новий напівпровідниковий кластер Yongin у Південній Кореї (зокрема, об’єкт Yuxi) та завод у китайському місті Усі (Wuxi). Перша фаза проекту Yuxi розпочне прийом обладнання у лютому 2027 року, після чого компанія кожні пів року додаватиме по 60 тисяч пластин до загальної потужності. Додатково планується модернізація заводу MI5X у корейському Чхонджу.
Головним драйвером цього розширення є стрімкий розвиток сфери штучного інтелекту. SK hynix виступає ключовим постачальником надшвидкої пам’яті HBM для новітніх AI-прискорювачів NVIDIA серій H100, H200 та Blackwell. Оскільки дефіцит HBM на ринку зумовлений саме браком базових DRAM-пластин для формування стеків пам’яті, нарощування обсягів виробництва має безпосередньо розв’язати цю проблему. Примітно, що плани масштабного розширення розроблялися задовго до того, як очільник NVIDIA Дженсен Хуанг на Computex 2026 залишив свій знаменитий заклик «будь ласка, робіть більше» на одній із кремнієвих пластин SK hynix.
Хоча індустрія загалом позитивно сприймає амбіції корейського виробника, постачальники обладнання та партнери виявляють стриману обережність. Вони побоюються повторення попередніх ринкових циклів, коли після агресивного нарощування капітальних витрат (CapEx) відбувалося раптове падіння попиту та скасування замовлень. Головне питання для SK hynix до 2030 року полягає не у спроможності збудувати нові заводи, а у здатності світового ринку спожити такі обсяги високотехнологічної пам’яті.
