Південнокорейський технологічний гігант SK hynix планує збільшити обсяги випуску оперативної пам’яті DRAM майже вдвічі — з поточних 550 тисяч до 1 мільйона кремнієвих пластин на місяць до 2030 року. Цікаво, що масштабну стратегію розширення компанія затвердила ще до того, як гендиректор NVIDIA Дженсен Хуанг на виставці Computex 2026 залишив на пластині SK hynix свій знаменитий заклик «please make more». Наразі корейський виробник є монопольним постачальником надшвидкої пам’яті HBM для ШІ-прискорювачів NVIDIA (серій H100, H200 та Blackwell), а дефіцит базових пластин DRAM залишається головним вузьким місцем у виробництві цих чипів.
Основним плацдармом для розширення стане корейський кластер у Йон’їні. Перша черга нового об’єкта міститиме шість «чистих кімнат», обладнання для першої з яких почнуть завозити у лютому 2027 року. Після цього SK hynix планує кожні пів року нарощувати потужність на 60 тисяч пластин, щоб до 2030 року вийти на показник у 360 тисяч пластин на місяць. Паралельно компанія збільшить потужність заводу MI5X у Чхонджу на 80 тисяч пластин, а також модернізує фабрику в китайському Усі, яка зараз генерує майже половину всієї DRAM виробника.
Попри очевидну вигоду від буму штучного інтелекту, партнери та постачальники обладнання SK hynix ставляться до таких масштабних капітальних інвестицій (CapEx) із обережністю. Галузь добре пам’ятає попередні циклічні кризи, коли за періодом агресивного розширення йшов різкий спад попиту та масове скасування замовлень. Головне занепокоєння ринку полягає в тому, чи зможе світовий попит на ШІ-інфраструктуру реально поглинути такі гігантські обсяги кремнію до 2030 року.
